动身网讯    11月9日上午，应学校约请，北京科技大学郑新和传授在F315室作了题为“高品德半导体III族氮化物薄膜的原子层堆积与利用”的学术报告。报告会由副校长何兴道传授掌管，测试与光电工程学院师生参与了这次报告会。

郑新和传授起首先容了以氮化镓（GaN）为代表的III族氮化物半导体及其低维布局的国际外成长近况，和在电子封装工程中的利用；其次，报告具体先容了具备高温发展、覆膜性好和厚度能够严酷节制的原子层堆积（ALD）技术，及其用于III族氮化物的内涵发展；最初，报告重点先容了在硅（Si）、石墨烯/Si、二硫化钼（MoS2）/Si、导电玻璃、蓝宝石等衬底或模板上展开III族氮化物（包含AlN、GaN、InN）的等离子体原子堆积（PEALD）的体系研讨和利用。

郑新和传授的报告深切浅出，讲授思绪清楚，内容丰硕，引发了在坐师生的极大乐趣。讲座竣事后，郑传授与现场师生停止了互动会商，氛围非常强烈热闹，大师纷纭针对报告内容和本身科研进程中碰到的题目向郑传授就教，郑传授都作了具体的解答，让大师受害匪浅，博得了在场师生的分歧赞美和强烈热闹掌声。

最初，副校长何兴道传授对报告会停止了总结讲话，对郑传授所作的出色报告表现感激，但愿在今后常来我校展开学术交换指点，晋升我校师生的科研才能。